A generic snapback free Reverse Conducting IGBT structure suitable for monolithic switching cells integration - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2014

A generic snapback free Reverse Conducting IGBT structure suitable for monolithic switching cells integration

Domaines

Energie électrique

Nathalie Pagès  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03937647

Soumis le : vendredi 13 janvier 2023-12:29:29

Dernière modification le : mardi 24 septembre 2024-03:24:13

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Dates et versions

hal-03937647 , version 1 (13-01-2023)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03937647 , version 1

Citer

A. Lale, A. Bourennane, A. El Khadiry, Frédéric Richardeau. A generic snapback free Reverse Conducting IGBT structure suitable for monolithic switching cells integration. European Power Electronics Conference and Application, EPE-ECCE, 26 -28 août 2014, Lappeenranta (FINLAND), 2014, Lappeenranta, Finland. ⟨hal-03937647⟩

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