Resonant tunneling of holes in Ga 0.51 In 0.49 P/GaAs double‐barrier heterostructures - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 1992

Resonant tunneling of holes in Ga 0.51 In 0.49 P/GaAs double‐barrier heterostructures

D. Lippens
  • Fonction : Auteur
Patrick Mounaix
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
V. Sadaune
  • Fonction : Auteur
M. Poisson
  • Fonction : Auteur
C. Brylinski
  • Fonction : Auteur

Domaines

Physique [physics]

Patrick Mounaix  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03932655

Soumis le : mardi 10 janvier 2023-12:28:34

Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11

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Dates et versions

hal-03932655 , version 1 (10-01-2023)

Identifiants

Citer

D. Lippens, Patrick Mounaix, V. Sadaune, M. Poisson, C. Brylinski. Resonant tunneling of holes in Ga 0.51 In 0.49 P/GaAs double‐barrier heterostructures. Journal of Applied Physics, 1992, 71 (4), pp.2057-2059. ⟨10.1063/1.351155⟩. ⟨hal-03932655⟩

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