Article Dans Une Revue
Physical Review B
Année : 2017
Jean-Louis Cantin : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-03925079
Soumis le : jeudi 5 janvier 2023-15:03:16
Dernière modification le : jeudi 12 décembre 2024-03:41:05
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-03925079 , version 1
- ARXIV : 1705.06229
- DOI : 10.1103/PhysRevB.96.085204
Citer
A. Csóré, H. von Bardeleben, Jean-Louis Cantin, A. Gali. Characterization and formation of NV centers in 3 C , 4 H , and 6 H SiC: An ab initio study. Physical Review B, 2017, 96 (8), pp.085204. ⟨10.1103/PhysRevB.96.085204⟩. ⟨hal-03925079⟩
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