Conduction mechanism and shallow donor properties in silicon-doped ɛ -G a 2 O 3 thin films: An electron paramagnetic resonance study - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Physical Review Materials Année : 2019

Conduction mechanism and shallow donor properties in silicon-doped ɛ -G a 2 O 3 thin films: An electron paramagnetic resonance study

H. von Bardeleben
Jean-Louis Cantin
Institut des Nanosciences de Paris
A. Parisini
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A. Bosio
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R. Fornari
  • Fonction : Auteur

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Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]
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H. von Bardeleben, Jean-Louis Cantin, A. Parisini, A. Bosio, R. Fornari. Conduction mechanism and shallow donor properties in silicon-doped ɛ -G a 2 O 3 thin films: An electron paramagnetic resonance study. Physical Review Materials, 2019, 3 (8), pp.084601. ⟨10.1103/PhysRevMaterials.3.084601⟩. ⟨hal-03924960⟩

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