Effect of post bonding annealing on the reliability of Al based wire bondings in IGBTs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2022
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Dates et versions

hal-03874235 , version 1 (27-11-2022)

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Citer

L. Karanja, P. Pichon, J. Brandelero, Marc Legros. Effect of post bonding annealing on the reliability of Al based wire bondings in IGBTs. Microelectronics Reliability, 2022, 138, pp.114647. ⟨10.1016/j.microrel.2022.114647⟩. ⟨hal-03874235⟩
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