Effect of post bonding annealing on the reliability of Al based wire bondings in IGBTs

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https://hal.science/hal-03874235

Soumis le : dimanche 27 novembre 2022-21:17:42

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:11

Dates et versions

hal-03874235 , version 1 (27-11-2022)

Identifiants

HAL Id : hal-03874235 , version 1
DOI : 10.1016/j.microrel.2022.114647

Citer

L. Karanja, P. Pichon, J. Brandelero, Marc Legros. Effect of post bonding annealing on the reliability of Al based wire bondings in IGBTs. Microelectronics Reliability, 2022, 138, pp.114647. ⟨10.1016/j.microrel.2022.114647⟩. ⟨hal-03874235⟩

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