Communication Dans Un Congrès
Année : 2022
UMI3463 LN2 : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-03868580
Soumis le : mercredi 23 novembre 2022-20:20:56
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:24:27
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-03868580 , version 1
Citer
Thierno Mamoudou Diallo, M.R. Aziziyan, Roxana Arvinte, R. Arès, Simon Fafard, et al.. CVD-growth of high-quality graphene over Ge(100) by annihilation of thermal pits.. Advanced Epitaxy for Freestanding Membranes and 2D Materials (AEFM), Jun 2022, Cambridge, United States. ⟨hal-03868580⟩
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