Enhancement of light extraction in 4H silicon carbide by nanostructuring the surface with high temperature annealing - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2022

Enhancement of light extraction in 4H silicon carbide by nanostructuring the surface with high temperature annealing

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Sciences de l'ingénieur [physics]
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Soumis le : mercredi 16 novembre 2022-19:51:15

Dernière modification le : vendredi 12 janvier 2024-16:46:53

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Dates et versions

hal-03856668 , version 1 (16-11-2022)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03856668 , version 1

Citer

Enora Vuillermet, Elise Usureau, Mihai Lazar, Régis Deturche. Enhancement of light extraction in 4H silicon carbide by nanostructuring the surface with high temperature annealing. 19th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2022, Sep 2022, Davos, Switzerland. ⟨hal-03856668⟩

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