Electrical behavior of vertical Schottky diodes on GaN homoepitaxy - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2022

Electrical behavior of vertical Schottky diodes on GaN homoepitaxy

M Dagher
  • Fonction : Auteur
Ampère, Département Energie Electrique
INL - Matériaux Fonctionnels et Nanostructures
Camille Sonneville
Ampère, Département Energie Electrique
Institut National des Sciences Appliquées de Lyon
CV
Georges Bremond
INL - Matériaux Fonctionnels et Nanostructures
Institut National des Sciences Appliquées de Lyon
Dominique Planson
Ampère, Département Energie Electrique
Institut National des Sciences Appliquées de Lyon
CV
Yvon Cordier
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications
Helge Haas
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 848807
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
M R Iretki
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
Julien Buckley
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
V Maurya
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
M Charles
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
Jean-Marie Bluet
Connectez-vous pour contacter l'auteur
INL - Matériaux Fonctionnels et Nanostructures
Institut National des Sciences Appliquées de Lyon

Domaines

Energie électrique
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Origine Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dominique Planson  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03854620

Soumis le : mardi 15 novembre 2022-22:17:29

Dernière modification le : vendredi 4 octobre 2024-16:10:10

Archivage à long terme le : jeudi 16 février 2023-21:01:48

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Dates et versions

hal-03854620 , version 1 (15-11-2022)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03854620 , version 1

Citer

M Dagher, Camille Sonneville, Georges Bremond, Dominique Planson, Yvon Cordier, et al.. Electrical behavior of vertical Schottky diodes on GaN homoepitaxy. IWN 2022 - International Workshop on Nitride Semiconductors, Oct 2022, Berlin, Germany. ⟨hal-03854620⟩

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