Design and Optimization of New Enhanced VerticalGaN Nanowire Transistor Using Sentaurus TCAD for Power Applications - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2022

Design and Optimization of New Enhanced VerticalGaN Nanowire Transistor Using Sentaurus TCAD for Power Applications

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

UMI3463 LN2  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03829527

Soumis le : mardi 25 octobre 2022-16:59:21

Dernière modification le : mardi 28 mai 2024-13:21:49

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03829527 , version 1 (25-10-2022)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03829527 , version 1

Citer

M. Benjelloun, N. Al Taradeh, C. Rodriguez, N. Gogneau, A. Soltani, et al.. Design and Optimization of New Enhanced VerticalGaN Nanowire Transistor Using Sentaurus TCAD for Power Applications. Compound Semiconductor Week 2022, Jun 2022, Ann Arbor, United States. ⟨hal-03829527⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

UGA CNRS INSA-LYON EC-LYON UNIV-PARIS-SACLAY LN2 INSA-GROUPE UDL GS-PHYSIQUE INSTITUT-SCIENCES-LUMIERE LN2-NRJ C2N RENATECH
31 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More