Molecular beam epitaxy of III-V semiconductors on group-IV (001) substrates: Formation and burying of antiphase domains. - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2022

Molecular beam epitaxy of III-V semiconductors on group-IV (001) substrates: Formation and burying of antiphase domains.

2022 ICMBE abstract Audrey_submitted.pdf (659.98 Ko) Télécharger le fichier
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-03806222 , version 1 (07-10-2022)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03806222 , version 1

Citer

Audrey Gilbert, Jean-Baptiste Rodriguez, Marta Rio Calvo, Michel Ramonda, Laurent Cerutti, et al.. Molecular beam epitaxy of III-V semiconductors on group-IV (001) substrates: Formation and burying of antiphase domains.. 22nd International Conference on Molecular-Beam Epitaxy (ICMBE 2022), Sep 2022, Sheffield, United Kingdom. ⟨hal-03806222⟩
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