Molecular beam epitaxy of III-V semiconductors on group-IV (001) substrates: Formation and burying of antiphase domains. - Archive ouverte HAL

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Communication Dans Un Congrès Année : 2022

Molecular beam epitaxy of III-V semiconductors on group-IV (001) substrates: Formation and burying of antiphase domains.

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Audrey Gilbert

Fonction : Auteur
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ORCID : 0000-0002-3232-673X

Institut d’Electronique et des Systèmes

Composants à Nanostructure pour le moyen infrarouge

Jean-Baptiste Rodriguez

Fonction : Auteur
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Institut d’Electronique et des Systèmes

Composants à Nanostructure pour le moyen infrarouge

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Institut d’Electronique et des Systèmes

Composants à Nanostructure pour le moyen infrarouge

Michel Ramonda

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Composants à Nanostructure pour le moyen infrarouge

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Origine	Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Jean-Baptiste Rodriguez : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03806222

Soumis le : vendredi 7 octobre 2022-16:04:59

Dernière modification le : jeudi 7 novembre 2024-16:14:04

Dates et versions

hal-03806222 , version 1 (07-10-2022)

Identifiants

HAL Id : hal-03806222 , version 1

Citer

Audrey Gilbert, Jean-Baptiste Rodriguez, Marta Rio Calvo, Michel Ramonda, Laurent Cerutti, et al.. Molecular beam epitaxy of III-V semiconductors on group-IV (001) substrates: Formation and burying of antiphase domains.. 22nd International Conference on Molecular-Beam Epitaxy (ICMBE 2022), Sep 2022, Sheffield, United Kingdom. ⟨hal-03806222⟩

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