Article Dans Une Revue
Solid-State Electronics
Année : 2007
Bogdan Cretu : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-03784679
Soumis le : vendredi 23 septembre 2022-11:29:55
Dernière modification le : mercredi 20 mars 2024-16:20:04
Citer
W. Guo, B. Cretu, J.-M. Routoure, R. Carin, E. Simoen, et al.. Temperature impact on the Lorentzian noise induced by electron valence-band tunneling in partially depleted SOI p-MOSFETs. Solid-State Electronics, 2007, 51 (9), pp.1180-1184. ⟨10.1016/j.sse.2007.07.033⟩. ⟨hal-03784679⟩
Collections
6
Consultations
0
Téléchargements