Temperature impact on the Lorentzian noise induced by electron valence-band tunneling in partially depleted SOI p-MOSFETs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2007

Temperature impact on the Lorentzian noise induced by electron valence-band tunneling in partially depleted SOI p-MOSFETs

W. Guo
  • Fonction : Auteur
B. Cretu
J.-M. Routoure
  • Fonction : Auteur
R. Carin
  • Fonction : Auteur
E. Simoen
  • Fonction : Auteur
C. Claeys
  • Fonction : Auteur

Dates et versions

hal-03784679 , version 1 (23-09-2022)

Identifiants

Citer

W. Guo, B. Cretu, J.-M. Routoure, R. Carin, E. Simoen, et al.. Temperature impact on the Lorentzian noise induced by electron valence-band tunneling in partially depleted SOI p-MOSFETs. Solid-State Electronics, 2007, 51 (9), pp.1180-1184. ⟨10.1016/j.sse.2007.07.033⟩. ⟨hal-03784679⟩
6 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More