Low temperature noise spectroscopy of 0.1 μm partially depleted silicon on insulator metal-oxide-semiconductor field effect transistors - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2007

Low temperature noise spectroscopy of 0.1 μm partially depleted silicon on insulator metal-oxide-semiconductor field effect transistors

I. Lartigau
  • Fonction : Auteur
J. Routoure
  • Fonction : Auteur
W. Guo
  • Fonction : Auteur
B. Cretu
R. Carin
  • Fonction : Auteur
A. Mercha
  • Fonction : Auteur
C. Claeys
  • Fonction : Auteur
E. Simoen
  • Fonction : Auteur

Dates et versions

hal-03784674 , version 1 (23-09-2022)

Identifiants

Citer

I. Lartigau, J. Routoure, W. Guo, B. Cretu, R. Carin, et al.. Low temperature noise spectroscopy of 0.1 μm partially depleted silicon on insulator metal-oxide-semiconductor field effect transistors. Journal of Applied Physics, 2007, 101 (10), pp.104511. ⟨10.1063/1.2732685⟩. ⟨hal-03784674⟩
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