Current crowding and 1/f noise in polycrystalline silicon thin film transistors - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2001

Dates et versions

hal-03776566 , version 1 (13-09-2022)

Identifiants

Citer

A. Mercha, L. Vandamme, L. Pichon, R. Carin, O. Bonnaud. Current crowding and 1/f noise in polycrystalline silicon thin film transistors. Journal of Applied Physics, 2001, 90 (8), pp.4019-4026. ⟨10.1063/1.1404418⟩. ⟨hal-03776566⟩
7 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More