Article Dans Une Revue
Journal of Applied Physics
Année : 2001
Laurent Pichon : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-03776566
Soumis le : mardi 13 septembre 2022-21:00:34
Dernière modification le : mercredi 20 mars 2024-16:20:04
Citer
A. Mercha, L. Vandamme, L. Pichon, R. Carin, O. Bonnaud. Current crowding and 1/f noise in polycrystalline silicon thin film transistors. Journal of Applied Physics, 2001, 90 (8), pp.4019-4026. ⟨10.1063/1.1404418⟩. ⟨hal-03776566⟩
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