Article Dans Une Revue
Materials Science and Technology
Année : 2013
Laurent Pichon : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-03776493
Soumis le : mardi 13 septembre 2022-17:32:11
Dernière modification le : mercredi 7 février 2024-13:04:20
Citer
D. Briand, M. Sarret, F. Le Bihan, O. Bonnaud, L. Pichon. Polysilicon in situ phosphorus doping control over large concentration range using low temperature, low pressure chemical vapour deposition growth process. Materials Science and Technology, 2013, 11 (11), pp.1207-1209. ⟨10.1179/mst.1995.11.11.1207⟩. ⟨hal-03776493⟩
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