Corrections to “Design-Oriented All-Regime All-Region 7-Parameter Short-Channel MOSFET Model Based on Inversion Charge” - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Access Année : 2023

Corrections to “Design-Oriented All-Regime All-Region 7-Parameter Short-Channel MOSFET Model Based on Inversion Charge”

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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-03759715 , version 2 (24-08-2022)
hal-03759715 , version 1 (22-10-2023)

Licence

Paternité - Pas d'utilisation commerciale

Identifiants

Citer

Dayana Andrea Pino Monroy, Patrick Scheer, Mohamed Khalil Bouchoucha, Carlos Galup-Montoro, Manuel Barragan, et al.. Corrections to “Design-Oriented All-Regime All-Region 7-Parameter Short-Channel MOSFET Model Based on Inversion Charge”. IEEE Access, 2023, 11, ⟨10.1109/ACCESS.2023.3267218⟩. ⟨hal-03759715v1⟩
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