Investigation on GaN channel thickness downscaling in high electron mobility transistor structures grown on AlN bulk substrate - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2022

Investigation on GaN channel thickness downscaling in high electron mobility transistor structures grown on AlN bulk substrate

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

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https://hal.science/hal-03681811

Soumis le : lundi 30 mai 2022-15:31:27

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:47:06

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03681811 , version 1 (30-05-2022)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03681811 , version 1

Citer

Reda Elwaradi, C. Bougerol, Jash Mehta, Maud Nemoz, F Medjdoub, et al.. Investigation on GaN channel thickness downscaling in high electron mobility transistor structures grown on AlN bulk substrate. WOCSDICE EXMATEC 2022, May 2022, Ponta Delgada, Portugal. ⟨hal-03681811⟩

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