Synthesis of Ti3SiC2 coatings onto SiC monoliths from molten salts
Synthèse de revêtements Ti3SiC2 sur monolithes SiC à partir de sels fondus
Résumé
Coatings with composition close to Ti3SiC2 were obtained on SiC substrates from Ti and Si powders with the molten NaCl method. In this work, the growth of coatings by reaction in the salt between monolithic SiC substrates and titanium powder is obtained between 1000 and 1200°C. At 1000°C, a coating of 8 µm thickness is formed in 10 hours whereas a thin coating of 0.5 µm has been grown in 2 hours. A lack in silicon was first found in the coatings prepared at 1100 and 1200°C. For these temperatures, the addition of silicon powder in the melt had a favorable effect on the final composition, which is found very close to the composition of Ti3SiC2. The reaction mechanism implies the formation of TiCx layers in direct contact with the SiC substrate and the presence of more or less important quantities of Ti3SiC2 and Ti5Si3Cx in the upper layers.
Des revêtements de composition proche de Ti3SiC2 ont été obtenus sur des substrats SiC à partir de poudres Ti et Si par la méthode du NaCl fondu. Dans ce travail, la croissance de revêtements par réaction dans le sel entre des substrats monolithiques SiC et de la poudre de titane est obtenue entre 1000 et 1200°C. A 1000°C, un revêtement de 8 µm d'épaisseur est formé en 10 heures alors qu'un revêtement fin de 0,5 µm a été développé en 2 heures. Un manque de silicium a d'abord été trouvé dans les revêtements préparés à 1100 et 1200°C. Pour ces températures, l'ajout de poudre de silicium dans le bain a un effet favorable sur la composition finale qui se retrouve très proche de la composition de Ti3SiC2. Le mécanisme réactionnel implique la formation de couches de TiCx en contact direct avec le substrat SiC et la présence de quantités plus ou moins importantes de Ti3SiC2 et Ti5Si3Cx dans les couches supérieures.
| Origine | Fichiers produits par l'(les) auteur(s) |
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