Gate bias stress in hydrogenated and unhydrogenated polysilicon thin film transistors - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 1998

Gate bias stress in hydrogenated and unhydrogenated polysilicon thin film transistors

B. Tala-Ighil
  • Fonction : Auteur
H. Toutah
  • Fonction : Auteur
A. Rahal
  • Fonction : Auteur
K. Mourgues
  • Fonction : Auteur
F. Raoult
  • Fonction : Auteur
O. Bonnaud
  • Fonction : Auteur
T. Mohammed-Brahim
  • Fonction : Auteur

Dates et versions

hal-03662130 , version 1 (09-05-2022)

Identifiants

Citer

B. Tala-Ighil, H. Toutah, A. Rahal, K. Mourgues, L. Pichon, et al.. Gate bias stress in hydrogenated and unhydrogenated polysilicon thin film transistors. Microelectronics Reliability, 1998, 38 (6-8), pp.1149-1153. ⟨10.1016/S0026-2714(98)00098-5⟩. ⟨hal-03662130⟩
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