Article Dans Une Revue
Synthetic Metals
Année : 1997
Laurent Pichon : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-03662128
Soumis le : lundi 9 mai 2022-09:50:01
Dernière modification le : jeudi 13 avril 2023-13:30:07
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-03662128 , version 1
- DOI : 10.1016/S0379-6779(98)80004-0
Citer
H. Sehil, N.M. Rahmani, L. Pichon, R. Menezla, F. Raoult, et al.. Characterization of the polysilicon thin film transistors elaborated in high and low temperature processes. Study of the density of traps. Synthetic Metals, 1997, 90 (3), pp.181-185. ⟨10.1016/S0379-6779(98)80004-0⟩. ⟨hal-03662128⟩
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