Characterization of the polysilicon thin film transistors elaborated in high and low temperature processes. Study of the density of traps - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Synthetic Metals Année : 1997

Characterization of the polysilicon thin film transistors elaborated in high and low temperature processes. Study of the density of traps

H. Sehil
  • Fonction : Auteur
N.M. Rahmani
  • Fonction : Auteur
R. Menezla
  • Fonction : Auteur
F. Raoult
  • Fonction : Auteur
Z. Benamara
  • Fonction : Auteur

Dates et versions

hal-03662128 , version 1 (09-05-2022)

Identifiants

Citer

H. Sehil, N.M. Rahmani, L. Pichon, R. Menezla, F. Raoult, et al.. Characterization of the polysilicon thin film transistors elaborated in high and low temperature processes. Study of the density of traps. Synthetic Metals, 1997, 90 (3), pp.181-185. ⟨10.1016/S0379-6779(98)80004-0⟩. ⟨hal-03662128⟩
4 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More