Article Dans Une Revue
Solid-State Electronics
Année : 1996
Laurent Pichon : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-03662112
Soumis le : lundi 9 mai 2022-09:42:15
Dernière modification le : jeudi 13 avril 2023-13:30:07
Citer
L. Pichon, F. Raoult, T. Mohamed-Brahim, O. Bonnaud, H. Sehil. Effects of the in-situ drain doping on hot-carrier degradation in polysilicon thin film transistors. Solid-State Electronics, 1996, 39 (7), pp.1065-1069. ⟨10.1016/0038-1101(95)00409-2⟩. ⟨hal-03662112⟩
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