Effects of the in-situ drain doping on hot-carrier degradation in polysilicon thin film transistors - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 1996

Effects of the in-situ drain doping on hot-carrier degradation in polysilicon thin film transistors

F. Raoult
  • Fonction : Auteur
T. Mohamed-Brahim
  • Fonction : Auteur
O. Bonnaud
  • Fonction : Auteur
H. Sehil
  • Fonction : Auteur

Dates et versions

hal-03662112 , version 1 (09-05-2022)

Identifiants

Citer

L. Pichon, F. Raoult, T. Mohamed-Brahim, O. Bonnaud, H. Sehil. Effects of the in-situ drain doping on hot-carrier degradation in polysilicon thin film transistors. Solid-State Electronics, 1996, 39 (7), pp.1065-1069. ⟨10.1016/0038-1101(95)00409-2⟩. ⟨hal-03662112⟩
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