Article Dans Une Revue
Materials Science and Technology
Année : 2013
Laurent Pichon : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-03662108
Soumis le : lundi 9 mai 2022-09:40:51
Dernière modification le : jeudi 13 avril 2023-13:30:07
Citer
D. Briand, M. Sarret, F. Le Bihan, O. Bonnaud, L. Pichon. Polysilicon in situ phosphorus doping control over large concentration range using low temperature, low pressure chemical vapour deposition growth process. Materials Science and Technology, 2013, 11 (11), pp.1207-1209. ⟨10.1179/mst.1995.11.11.1207⟩. ⟨hal-03662108⟩
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