Article Dans Une Revue
Solid-State Electronics
Année : 1995
Laurent Pichon : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-03662100
Soumis le : lundi 9 mai 2022-09:35:06
Dernière modification le : jeudi 13 avril 2023-13:30:07
Citer
L Pichon, F Raoult, O Bonnaud, H Sehil, D Briand. Conduction behaviour of low-temperature (≤600°C) polysilicon TFTs with an in situ drain doping level. Solid-State Electronics, 1995, 38 (8), pp.1515-1521. ⟨10.1016/0038-1101(94)00277-M⟩. ⟨hal-03662100⟩
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