Conduction behaviour of low-temperature (≤600°C) polysilicon TFTs with an in situ drain doping level - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 1995

Conduction behaviour of low-temperature (≤600°C) polysilicon TFTs with an in situ drain doping level

F Raoult
  • Fonction : Auteur
O Bonnaud
  • Fonction : Auteur
H Sehil
  • Fonction : Auteur
D Briand
  • Fonction : Auteur

Dates et versions

hal-03662100 , version 1 (09-05-2022)

Identifiants

Citer

L Pichon, F Raoult, O Bonnaud, H Sehil, D Briand. Conduction behaviour of low-temperature (≤600°C) polysilicon TFTs with an in situ drain doping level. Solid-State Electronics, 1995, 38 (8), pp.1515-1521. ⟨10.1016/0038-1101(94)00277-M⟩. ⟨hal-03662100⟩
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