Comparison of the low-temperature ( ≤ 600 °C) polysilicon thin-film transistors (TFTs) with two kinds of gate dielectrics - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Materials Chemistry and Physics Année : 1995

Comparison of the low-temperature ( ≤ 600 °C) polysilicon thin-film transistors (TFTs) with two kinds of gate dielectrics

F. Raoult
  • Fonction : Auteur
O. Bonnaud
  • Fonction : Auteur

Dates et versions

hal-03662080 , version 1 (09-05-2022)

Identifiants

Citer

L. Pichon, F. Raoult, O. Bonnaud. Comparison of the low-temperature ( ≤ 600 °C) polysilicon thin-film transistors (TFTs) with two kinds of gate dielectrics. Materials Chemistry and Physics, 1995, 39 (4), pp.313-316. ⟨10.1016/0254-0584(94)01441-I⟩. ⟨hal-03662080⟩
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