Article Dans Une Revue
Materials Chemistry and Physics
Année : 1995
Laurent Pichon : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-03662080
Soumis le : lundi 9 mai 2022-09:23:41
Dernière modification le : jeudi 13 avril 2023-13:30:07
Citer
L. Pichon, F. Raoult, O. Bonnaud. Comparison of the low-temperature ( ≤ 600 °C) polysilicon thin-film transistors (TFTs) with two kinds of gate dielectrics. Materials Chemistry and Physics, 1995, 39 (4), pp.313-316. ⟨10.1016/0254-0584(94)01441-I⟩. ⟨hal-03662080⟩
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