Performance comparison of RF energy harvesting rectifiers designed in CMOS FDSOI 28 nm with dynamic back gate biasing and BiCMOS 55 nm technology - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS Année : 2021

Performance comparison of RF energy harvesting rectifiers designed in CMOS FDSOI 28 nm with dynamic back gate biasing and BiCMOS 55 nm technology

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Energie électrique

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https://hal.science/hal-03651466

Soumis le : lundi 25 avril 2022-17:10:18

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:54:30

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hal-03651466 , version 1 (25-04-2022)

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Citer

Mohamad Awad, Philippe Benech, Jean-Marc Duchamp. Performance comparison of RF energy harvesting rectifiers designed in CMOS FDSOI 28 nm with dynamic back gate biasing and BiCMOS 55 nm technology. MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS, 2021, 63 (5), pp.1411--1415. ⟨10.1002/mop.32771⟩. ⟨hal-03651466⟩

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