Communication Dans Un Congrès Année : 2022

Defect free strain relaxation of microcrystals on mesoporous patterned silicon

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03630012 , version 1 (04-04-2022)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03630012 , version 1

Citer

A. Heintz, B. Ilahi, A. Pofelski, G. Botton, G. Patriarche, et al.. Defect free strain relaxation of microcrystals on mesoporous patterned silicon. European Material Research Society (EMRS), Sep 2022, Warsaw, Poland. ⟨hal-03630012⟩
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