Design of an Integrated Power Module for Silicon Carbide MOSFET with Self-Compensation of the Magnetic Field - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2021
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03615995 , version 1 (22-03-2022)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03615995 , version 1

Citer

Fatme Abed Ali, Yvan Avenas, Pierre Lefranc, Pierre-Olivier Jeannin, Toni Youssef, et al.. Design of an Integrated Power Module for Silicon Carbide MOSFET with Self-Compensation of the Magnetic Field. The 13th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2020·2021), Oct 2021, Tours, France. ⟨hal-03615995⟩
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