Article Dans Une Revue
Solid-State Electronics
Année : 1998
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-03612836
Soumis le : vendredi 18 mars 2022-09:51:48
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-03612836 , version 1
- DOI : 10.1016/S0038-1101(97)00196-2
Citer
Javier Mateos, Tomas Gonzalez, Daniel Pardo, Patrick Tadyszak, Francois Danneville, et al.. Noise analysis of 0.1 mm gate MESFETs and HEMTs. Solid-State Electronics, 1998, 42 (1), pp.79-85. ⟨10.1016/S0038-1101(97)00196-2⟩. ⟨hal-03612836⟩
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