Noise analysis of 0.1 mm gate MESFETs and HEMTs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 1998

Noise analysis of 0.1 mm gate MESFETs and HEMTs

Dates et versions

hal-03612836 , version 1 (18-03-2022)

Identifiants

Citer

Javier Mateos, Tomas Gonzalez, Daniel Pardo, Patrick Tadyszak, Francois Danneville, et al.. Noise analysis of 0.1 mm gate MESFETs and HEMTs. Solid-State Electronics, 1998, 42 (1), pp.79-85. ⟨10.1016/S0038-1101(97)00196-2⟩. ⟨hal-03612836⟩
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