Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Electron Devices
Année : 1999
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https://hal.science/hal-03612809
Soumis le : vendredi 18 mars 2022-09:38:12
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
Gilles Dambrine, J.-P. Raskin, Francois Danneville, D. Vanhoenackel Janvier, J.-P. Colinge, et al.. High-frequency four noise parameters of silicon-on-insulator-based technology MOSFET for the design of low-noise RF integrated circuits. IEEE Transactions on Electron Devices, 1999, 46 (8), pp.1733-1741. ⟨10.1109/16.777164⟩. ⟨hal-03612809⟩
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