Growth of Silicon Oxide on Hydrogenated Silicon During Lithography with an Atomic Force Microscope - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Vacuum Science and Technology Année : 2000

Growth of Silicon Oxide on Hydrogenated Silicon During Lithography with an Atomic Force Microscope

F. Marchi
  • Fonction : Auteur
V. Bouchiat
  • Fonction : Auteur
H. Dallaporta
  • Fonction : Auteur
V. Safarov
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03523720 , version 1 (12-01-2022)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03523720 , version 1

Citer

D. Tonneau, F. Marchi, V. Bouchiat, H. Dallaporta, V. Safarov. Growth of Silicon Oxide on Hydrogenated Silicon During Lithography with an Atomic Force Microscope. Journal of Vacuum Science and Technology, 2000, 16 (6), pp.2952-2956. ⟨hal-03523720⟩
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