Article Dans Une Revue
Journal of Vacuum Science and Technology
Année : 2000
Didier Tonneau : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-03523720
Soumis le : mercredi 12 janvier 2022-19:20:13
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:25
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-03523720 , version 1
Citer
D. Tonneau, F. Marchi, V. Bouchiat, H. Dallaporta, V. Safarov. Growth of Silicon Oxide on Hydrogenated Silicon During Lithography with an Atomic Force Microscope. Journal of Vacuum Science and Technology, 2000, 16 (6), pp.2952-2956. ⟨hal-03523720⟩
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