Electronic transport properties of single crystal silicon nanowires fabricated using an Atomic Force Microscope - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2002

Electronic transport properties of single crystal silicon nanowires fabricated using an Atomic Force Microscope

N. Clément
  • Fonction : Auteur
H. Dallaporta
  • Fonction : Auteur
V. Bouchiat
  • Fonction : Auteur
D. Mariole
  • Fonction : Auteur
J. Gautier
  • Fonction : Auteur
V. Safarov
  • Fonction : Auteur
Fraboulet D.
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03521650 , version 1 (11-01-2022)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03521650 , version 1

Citer

D. Tonneau, N. Clément, H. Dallaporta, V. Bouchiat, D. Mariole, et al.. Electronic transport properties of single crystal silicon nanowires fabricated using an Atomic Force Microscope. MSS10 conference, Günther Bauer, Jul 2001, Linz, Austria. pp.999-1002. ⟨hal-03521650⟩
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