Experimental gm/ID Invariance Assessment for Asymmetric Double-Gate FDSOI MOSFET - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2018

Experimental gm/ID Invariance Assessment for Asymmetric Double-Gate FDSOI MOSFET

Denis Rideau
  • Fonction : Auteur
Frederic Monsieur
  • Fonction : Auteur
Patrick Scheer
  • Fonction : Auteur
Gilles Gouget
  • Fonction : Auteur
André Juge
  • Fonction : Auteur
Thierry Poiroux
Jean-Michel Sallese
  • Fonction : Auteur
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Origine Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-03513623 , version 1 (05-01-2022)

Identifiants

Citer

Salim El Ghouli, Denis Rideau, Frederic Monsieur, Patrick Scheer, Gilles Gouget, et al.. Experimental gm/ID Invariance Assessment for Asymmetric Double-Gate FDSOI MOSFET. IEEE Transactions on Electron Devices, 2018, 65 (1), ⟨10.1109/TED.2017.2772804⟩. ⟨hal-03513623⟩
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