Design and Experimentation of Inductorless Low-Pass NGD Integrated Circuit in 180-nm CMOS Technology - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems Année : 2021

Design and Experimentation of Inductorless Low-Pass NGD Integrated Circuit in 180-nm CMOS Technology

Mathieu Guerin
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1121745
Aix Marseille Université
Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence
Yang Liu
  • Fonction : Auteur
Alexandre Douyere
CV
George Chan
Fayu Wan
Sebastien Lallechere
Wenceslas Rahajandraibe
Blaise Ravelo
Taochen Gu
  • Fonction : Auteur
Binhong Li
  • Fonction : Auteur
Bo Li
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 760518
  • IdRef : 153351551

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

Mathieu GUERIN  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03509420

Soumis le : mardi 4 janvier 2022-10:42:05

Dernière modification le : lundi 10 juin 2024-16:58:03

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Dates et versions

hal-03509420 , version 1 (04-01-2022)

Identifiants

Citer

Mathieu Guerin, Yang Liu, Alexandre Douyere, George Chan, Fayu Wan, et al.. Design and Experimentation of Inductorless Low-Pass NGD Integrated Circuit in 180-nm CMOS Technology. IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, 2021, 9, pp.1-1. ⟨10.1109/TCAD.2021.3136982⟩. ⟨hal-03509420⟩

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