Single-trap phenomena stochastic switching for noise suppression in nanowire FET biosensors - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Japanese Journal of Applied Physics Année : 2021

Single-trap phenomena stochastic switching for noise suppression in nanowire FET biosensors

Résumé

With the fast-shrinking of the transistor dimensions, the low-frequency noise level considerably increases emerging as an important parameter for the design of advanced devices for information technologies. Single-trap phenomena (STP) is a promising approach
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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-03450390 , version 1 (26-11-2021)

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Citer

Yurii Kutovyi, Ignacio Madrid, Nazarii Boichuk, Soo Hyeon Kim, Teruo Fujii, et al.. Single-trap phenomena stochastic switching for noise suppression in nanowire FET biosensors. Japanese Journal of Applied Physics, 2021, 60 (SB), pp.SBBG03. ⟨10.35848/1347-4065/abdc87⟩. ⟨hal-03450390⟩

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