Transmission electron microscopy characterization of low temperature boron doped silicon epitaxial films - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue CrystEngComm Année : 2020

Transmission electron microscopy characterization of low temperature boron doped silicon epitaxial films

Guillaume Noircler
Marta Chrostowski
  • Fonction : Auteur
Melvyn Larranaga
  • Fonction : Auteur
Etienne Drahi
Patricia de Coux
  • Fonction : Auteur
Bénédicte Warot-Fonrose

Résumé

Transmission electron microscopy techniques to better understand growth mechanisms and annealing of low temperature silicon epitaxy. HRTEM: thickness measurement, crystal morphology, and defect study. GPA (image processing): strain field analysis.

Domaines

Biotechnologie

Dates et versions

hal-03447465 , version 1 (24-11-2021)

Identifiants

Citer

Pere Roca I Cabarrocas, Guillaume Noircler, Marta Chrostowski, Melvyn Larranaga, Etienne Drahi, et al.. Transmission electron microscopy characterization of low temperature boron doped silicon epitaxial films. CrystEngComm, 2020, 22 (33), pp.5464-5472. ⟨10.1039/D0CE00817F⟩. ⟨hal-03447465⟩
18 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More