Transmission electron microscopy characterization of low temperature boron doped silicon epitaxial films - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue CrystEngComm Année : 2020

Transmission electron microscopy characterization of low temperature boron doped silicon epitaxial films

Pere Roca I Cabarrocas
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 851966
Laboratoire de physique des interfaces et des couches minces [Palaiseau]
Guillaume Noircler
Marta Chrostowski
  • Fonction : Auteur
Melvyn Larranaga
  • Fonction : Auteur
Etienne Drahi
Patricia de Coux
  • Fonction : Auteur
Bénédicte Warot-Fonrose
CV

Résumé

Transmission electron microscopy techniques to better understand growth mechanisms and annealing of low temperature silicon epitaxy. HRTEM: thickness measurement, crystal morphology, and defect study. GPA (image processing): strain field analysis.

Domaines

Biotechnologie

Pere Roca i Cabarrocas  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03447465

Soumis le : mercredi 24 novembre 2021-17:29:55

Dernière modification le : jeudi 1 août 2024-13:48:05

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Dates et versions

hal-03447465 , version 1 (24-11-2021)

Identifiants

Citer

Pere Roca I Cabarrocas, Guillaume Noircler, Marta Chrostowski, Melvyn Larranaga, Etienne Drahi, et al.. Transmission electron microscopy characterization of low temperature boron doped silicon epitaxial films. CrystEngComm, 2020, 22 (33), pp.5464-5472. ⟨10.1039/D0CE00817F⟩. ⟨hal-03447465⟩

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