Gate‐Tunable Negative Differential Resistance in Next‐Generation Ge Nanodevices and their Performance Metrics - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Advanced Electronic Materials Année : 2021

Gate‐Tunable Negative Differential Resistance in Next‐Generation Ge Nanodevices and their Performance Metrics

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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-03429125 , version 1 (15-11-2021)

Identifiants

Citer

Raphael Böckle, Masiar Sistani, Kilian Eysin, Maximilian G A Bartmann, Minh Anh Luong, et al.. Gate‐Tunable Negative Differential Resistance in Next‐Generation Ge Nanodevices and their Performance Metrics. Advanced Electronic Materials, 2021, 7 (3), pp.2001178. ⟨10.1002/aelm.202001178⟩. ⟨hal-03429125⟩
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