Gate‐Tunable Negative Differential Resistance in Next‐Generation Ge Nanodevices and their Performance Metrics - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Advanced Electronic Materials Année : 2021

Gate‐Tunable Negative Differential Resistance in Next‐Generation Ge Nanodevices and their Performance Metrics

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Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]
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Soumis le : lundi 15 novembre 2021-14:34:57

Dernière modification le : mardi 3 septembre 2024-11:14:08

Archivage à long terme le : mercredi 16 février 2022-20:44:59

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Dates et versions

hal-03429125 , version 1 (15-11-2021)

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Citer

Raphael Böckle, Masiar Sistani, Kilian Eysin, Maximilian G A Bartmann, Minh Anh Luong, et al.. Gate‐Tunable Negative Differential Resistance in Next‐Generation Ge Nanodevices and their Performance Metrics. Advanced Electronic Materials, 2021, 7 (3), pp.2001178. ⟨10.1002/aelm.202001178⟩. ⟨hal-03429125⟩

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