0.4-µm InP/InGaAs DHBT with a 380-GHz fT > 600-GHz fMAX and BVCE0 > 4.5 V - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2021

0.4-µm InP/InGaAs DHBT with a 380-GHz fT > 600-GHz fMAX and BVCE0 > 4.5 V

Nil Davy
  • Fonction : Auteur
Alcatel-Thales III-V Lab
Virginie Nodjiadjim
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1093048
Muriel Riet
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1093049
Colin Mismer
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1093050
Marina Deng
Mukherjee Chhandak
Centre National de la Recherche Scientifique
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Jeremie Renaudier
  • Fonction : Auteur
Alcatel-Thales III-V Lab
Cristell Maneux

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique
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Chhandak Mukherjee  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03407761

Soumis le : jeudi 10 novembre 2022-12:59:32

Dernière modification le : mardi 1 août 2023-14:54:05

Archivage à long terme le : samedi 11 février 2023-18:51:09

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Dates et versions

hal-03407761 , version 1 (10-11-2022)

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Citer

Nil Davy, Virginie Nodjiadjim, Muriel Riet, Colin Mismer, Marina Deng, et al.. 0.4-µm InP/InGaAs DHBT with a 380-GHz fT > 600-GHz fMAX and BVCE0 > 4.5 V. 2021 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS), Dec 2021, Monterey, United States. ⟨10.1109/BCICTS50416.2021.9682209⟩. ⟨hal-03407761⟩

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