Communication Dans Un Congrès
Année : 2011
Emmanuel Bergeret : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-03391181
Soumis le : jeudi 21 octobre 2021-15:47:39
Dernière modification le : lundi 10 juin 2024-16:58:03
Citer
E. Bergeret, M. Guerin, A. Daami, S. Jacob, E. Benevent, et al.. Simulation of intrinsic bipolar transistor mechanisms for future capacitor-less eDRAM on bulk substrate. 2010 17th IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems - (ICECS 2010), Dec 2010, Athens, Greece. pp.966-969, ⟨10.1109/ICECS.2010.5724674⟩. ⟨hal-03391181⟩
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