Simulation of intrinsic bipolar transistor mechanisms for future capacitor-less eDRAM on bulk substrate - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2011

Simulation of intrinsic bipolar transistor mechanisms for future capacitor-less eDRAM on bulk substrate

M. Guerin
  • Fonction : Auteur
A. Daami
  • Fonction : Auteur
S. Jacob
  • Fonction : Auteur
E. Benevent
  • Fonction : Auteur
P. Pannier
  • Fonction : Auteur
R. Coppard
  • Fonction : Auteur
R. Pulicani
  • Fonction : Auteur
O. Goducheau
  • Fonction : Auteur
H. Degoirat
  • Fonction : Auteur
H. Aziza
  • Fonction : Auteur
A. Perez
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03391181 , version 1 (21-10-2021)

Identifiants

Citer

E. Bergeret, M. Guerin, A. Daami, S. Jacob, E. Benevent, et al.. Simulation of intrinsic bipolar transistor mechanisms for future capacitor-less eDRAM on bulk substrate. 2010 17th IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems - (ICECS 2010), Dec 2010, Athens, Greece. pp.966-969, ⟨10.1109/ICECS.2010.5724674⟩. ⟨hal-03391181⟩
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