Anisotropic and low damage III-V/Ge heterostructure etching for multijunction solar cell fabrication with passivated sidewalls - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Micro and Nano Engineering Année : 2021

Anisotropic and low damage III-V/Ge heterostructure etching for multijunction solar cell fabrication with passivated sidewalls

Mathieu de Lafontaine
Guillaume Gay
  • Fonction : Auteur
Camille Petit-Etienne
Sylvain David
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Jean-Paul Barnes
  • Fonction : Auteur
Névine Rochat
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Abdelatif Jaouad
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Maïté Volatier
  • Fonction : Auteur
Simon Fafard
  • Fonction : Auteur
Vincent Aimez
Maxime Darnon
  • Fonction : Auteur

Résumé

This article presents a complete plasma etching process to etch high aspect ratio patterns on III-V/Ge solar cell heterostructure with low damage for the fabrication of multijunction solar cells with a through cell via contact architecture. A SiCl 4 /H 2 chemistry was studied with different hydrogen dilutions within the plasma (0%, up to 67%) and with different cathode temperatures (20 • C, up to 200 • C). This chemistry choice creates a SiCl x-based
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Dates et versions

hal-03366508 , version 1 (05-10-2021)

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Citer

Mathieu de Lafontaine, Erwine Pargon, Guillaume Gay, Camille Petit-Etienne, Sylvain David, et al.. Anisotropic and low damage III-V/Ge heterostructure etching for multijunction solar cell fabrication with passivated sidewalls. Micro and Nano Engineering, 2021, 11, pp.100083. ⟨10.1016/j.mne.2021.100083⟩. ⟨hal-03366508⟩
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