Characterization of 4H-SiC junction barrier Schottky diodes by admittance vs. temperature analyses - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Characterization of 4H-SiC junction barrier Schottky diodes by admittance vs. temperature analyses

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Sciences de l'ingénieur [physics] Energie électrique
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Dominique Planson  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

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Soumis le : jeudi 2 septembre 2021-10:19:45

Dernière modification le : jeudi 23 novembre 2023-08:53:47

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Dates et versions

hal-03331775 , version 1 (02-09-2021)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03331775 , version 1

Citer

Christophe Raynaud, D M Nguyen, Pierre Brosselard, A Pérez-Tomás, Dominique Planson, et al.. Characterization of 4H-SiC junction barrier Schottky diodes by admittance vs. temperature analyses. European Conference on Silicon Carbide and Related Materials ECSCRM 2008, Sep 2008, Barcelone, Spain. ⟨hal-03331775⟩

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