Article Dans Une Revue
Electronics Letters
Année : 1988
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https://hal.science/hal-03317737
Soumis le : samedi 7 août 2021-09:23:33
Dernière modification le : lundi 23 mars 2026-09:10:02
Citer
D. Depreeuw, P. Godts, E. Constant, J. Zimmermann, Francois Danneville. Gate current and 2D electron concentration in HIGFET and SISFET. Electronics Letters, 1988, 24 (15), pp.944. ⟨10.1049/el:19880643⟩. ⟨hal-03317737⟩
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