Gate current and 2D electron concentration in HIGFET and SISFET - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Electronics Letters Année : 1988
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03317737 , version 1 (07-08-2021)

Identifiants

Citer

D. Depreeuw, P. Godts, E. Constant, J. Zimmermann, Francois Danneville. Gate current and 2D electron concentration in HIGFET and SISFET. Electronics Letters, 1988, 24 (15), pp.944. ⟨10.1049/el:19880643⟩. ⟨hal-03317737⟩
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