Gate current and 2D electron concentration in HIGFET and SISFET - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Electronics Letters Année : 1988

Gate current and 2D electron concentration in HIGFET and SISFET

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Sciences de l'ingénieur [physics]

Francois Danneville  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03317737

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hal-03317737 , version 1 (07-08-2021)

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Citer

D. Depreeuw, P. Godts, E. Constant, J. Zimmermann, Francois Danneville. Gate current and 2D electron concentration in HIGFET and SISFET. Electronics Letters, 1988, 24 (15), pp.944. ⟨10.1049/el:19880643⟩. ⟨hal-03317737⟩

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