An Ultrafast Active Quenching Active Reset Circuit with 50 % SPAD Afterpulsing Reduction in a 28 nm FD-SOI CMOS Technology Using Body Biasing Technique - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Sensors Année : 2021

An Ultrafast Active Quenching Active Reset Circuit with 50 % SPAD Afterpulsing Reduction in a 28 nm FD-SOI CMOS Technology Using Body Biasing Technique

Fichier principal
Vignette du fichier
view-61.pdf (13.94 Mo) Télécharger le fichier
Origine : Publication financée par une institution

Dates et versions

hal-03254577 , version 1 (15-06-2021)

Identifiants

Citer

Mohammadreza Dolatpoor Lakeh, Jean-Baptiste Kammerer, Enagnon Aguenounon, Dylan Issartel, Jean-Baptiste Schell, et al.. An Ultrafast Active Quenching Active Reset Circuit with 50 % SPAD Afterpulsing Reduction in a 28 nm FD-SOI CMOS Technology Using Body Biasing Technique. Sensors, 2021, ⟨10.3390/s21124014⟩. ⟨hal-03254577⟩
82 Consultations
46 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More