Controlling solid–liquid–solid GeSn nanowire growth modes by changing deposition sequences of a-Ge:H layer and SnO 2 nanoparticles - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Nanotechnology Année : 2021

Controlling solid–liquid–solid GeSn nanowire growth modes by changing deposition sequences of a-Ge:H layer and SnO 2 nanoparticles

Ruiling Gong
  • Fonction : Auteur
Ningbo University
Edy Azrak
  • Fonction : Auteur
Groupe de physique des matériaux
Celia Castro
Groupe de physique des matériaux
CV
Sébastien Duguay
Groupe de physique des matériaux
CV
Philippe Pareige
Groupe de physique des matériaux
Pere Roca I Cabarrocas
Laboratoire de physique des interfaces et des couches minces [Palaiseau]
Wanghua Chen
  • Fonction : Auteur
Ningbo University

Domaines

Matériaux Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Sébastien Duguay  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03249563

Soumis le : vendredi 4 juin 2021-11:20:56

Dernière modification le : mercredi 21 août 2024-03:04:01

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03249563 , version 1 (04-06-2021)

Identifiants

Citer

Ruiling Gong, Edy Azrak, Celia Castro, Sébastien Duguay, Philippe Pareige, et al.. Controlling solid–liquid–solid GeSn nanowire growth modes by changing deposition sequences of a-Ge:H layer and SnO 2 nanoparticles. Nanotechnology, 2021, 32 (34), pp.345602. ⟨10.1088/1361-6528/abfc72⟩. ⟨hal-03249563⟩

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