Structure-determined thermoelectric properties of Bi2Se3 thin films deposited by vapour-solid technique - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Structure-determined thermoelectric properties of Bi2Se3 thin films deposited by vapour-solid technique

J. Andzane
  • Fonction : Auteur
K. Buks
  • Fonction : Auteur
M. Zubkins
  • Fonction : Auteur
Mikhael Bechelany
M. Marnauza
  • Fonction : Auteur
D. Erts
  • Fonction : Auteur

Résumé

In this work, a simple catalyst-free vapour-solid deposition method is applied for controlled obtaining of two types (planar and disordered) continuous Bi2Se3 nanostructured thin films on different (fused quartz/glass, mica, graphene) substrates. Performed for the deposited thin films transport and thermoelectric characterization (type, concentration and mobility of the main charge carriers, Seebeck coefficient and power factor) showed that proposed deposition method allows to fabricate “low-doped” Bi2Se3 thin films with power factor comparable and even higher than reported for the Bi2Se3 thin films fabricated by molecular beam epitaxy technique.

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IEEE Transactions on Nanotechnology, 2019, 18, 948 – 954 .pdf (616.57 Ko) Télécharger le fichier
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-03247607 , version 1 (03-06-2021)

Identifiants

Citer

J. Andzane, K. Buks, M. Zubkins, Mikhael Bechelany, M. Marnauza, et al.. Structure-determined thermoelectric properties of Bi2Se3 thin films deposited by vapour-solid technique. 2018 IEEE 18th International Conference on Nanotechnology (IEEE-NANO), Jul 2018, Cork, Ireland. pp.1-5, ⟨10.1109/NANO.2018.8626225⟩. ⟨hal-03247607⟩
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