Effects of localization on hot carriers in InAs/AlAs x Sb 1– x quantum wells - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2015

Effects of localization on hot carriers in InAs/AlAs x Sb 1– x quantum wells

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Optique [physics.optics] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Optique / photonique Traitement du signal et de l'image [eess.SP]

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Soumis le : lundi 10 mai 2021-15:38:56

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hal-03222980 , version 1 (10-05-2021)

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Citer

J. Tang, V. Whiteside, Hamidreza Esmaielpour, S. Vijeyaragunathan, T. Mishima, et al.. Effects of localization on hot carriers in InAs/AlAs x Sb 1– x quantum wells. Applied Physics Letters, 2015, 106 (6), pp.061902. ⟨10.1063/1.4907630⟩. ⟨hal-03222980⟩

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