Crystal engineering by tuning the growth kinetics of GaN 3-D microstructures in SAG-HVPE - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue CrystEngComm Année : 2018

Crystal engineering by tuning the growth kinetics of GaN 3-D microstructures in SAG-HVPE

Geoffrey Avit
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 774335
  • IdRef : 186145845
Mohammed Zeghouane
  • Fonction : Auteur
Yamina André
  • Fonction : Auteur
Dominique Castelluci
  • Fonction : Auteur
Evelyne Gil
Si-Young Baé
  • Fonction : Auteur
Hiroshi Amano
  • Fonction : Auteur
Agnès Trassoudaine
  • Fonction : Auteur

Résumé

The growth of GaN 3-D microstructures is investigated by SAG-HVPE.
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03217102 , version 1 (04-05-2021)

Identifiants

Citer

Geoffrey Avit, Mohammed Zeghouane, Yamina André, Dominique Castelluci, Evelyne Gil, et al.. Crystal engineering by tuning the growth kinetics of GaN 3-D microstructures in SAG-HVPE. CrystEngComm, 2018, 20 (40), pp.6207-6213. ⟨10.1039/c8ce01177j⟩. ⟨hal-03217102⟩
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