28 nm UTBB FD-SOI technology for Silicon-based quantum dots and Cryo-CMOS electronics - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

28 nm UTBB FD-SOI technology for Silicon-based quantum dots and Cryo-CMOS electronics

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

UMI3463 LN2  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03178723

Soumis le : mercredi 24 mars 2021-03:36:17

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:40:45

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03178723 , version 1 (24-03-2021)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03178723 , version 1

Citer

I. Kriekouki, Sophie Rochette, Claude Rohrbacher, J. Camirand Lemyre, Michel Pioro-Ladriere, et al.. 28 nm UTBB FD-SOI technology for Silicon-based quantum dots and Cryo-CMOS electronics. Silicon Quantum Electronics Workshop (SiQEW 2019), Oct 2019, San Sabastian, Spain. ⟨hal-03178723⟩

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